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      濟南晶恒集團碳化硅器件技術研究進展

      2019-04-09 15:16 來源:晶恒 作者:

      由于現有硅器件材料特性的局限性,碳化硅材料以其優越的材料特性越來越受到半導體行業的重視。美國、日本這些走在半導體前沿的國家,都投入巨資進行研究,推動碳化硅材料的廣泛應用,逐步替代硅材料。

      碳化硅材料,具體有禁帶寬度大,擊穿場高,熱導率大,電子飽和漂移速度快等特點,所以由碳化硅材料制成的碳化硅肖特基二極管就同樣具備了高擊穿電壓,開關頻率快,工作溫度高等優勢。碳化硅器件可以應用于光伏發電、電動汽車領域,降低能量轉化損耗;可以應用于軌道交通領域,降低牽引逆變器體積和重量;可以應用于高壓輸變電領域,可以降低功率模塊、變壓器尺寸。

      濟南晶恒集團作為老牌的半導體研發企業,早已關注碳化硅新材料領域,投入了大量的人力物力進行研究開發。濟南晶恒集團的碳化硅器件從軍工產品中研發而來,目前正在給國防軍工領域穩定輸送產品?,F在晶恒的碳化硅器件已經可以大批量應用于民用產品。晶恒集團現在已經形成了碳化硅肖特基二極管的產品系列,并且SICMOSFET,SiCJFET和BJT也正在研發中。

      濟南晶恒集團于2017年3月份申報的山東省重大科技創新工程-高性能特種新材料方向“低成本碳化硅器件與模組關鍵技術”項目,10月份已審批通過,獲得政府經費支持。此項目以SiC千瓦級大功率低成本開關器件為研究重點。

      濟南晶恒集團現在已經可以批量供貨的碳化硅產品

      650V/10A、20A、30A、50A

      1200V/2A、10A、15A、40A

      1700V/5A、10A、25A

      2000V/2A、2500V/2A

      濟南晶恒的碳化硅器件,可以封裝多樣化形式,例如絕緣殼體的全包塑封TO-220TO-263TO-247等,低寄生參數表面貼封,耐高溫應用金屬陶瓷封裝等。

      晶恒集團現在主推的碳化硅肖特基二極管器件,具備耐高溫芯片制造工藝及封裝技術,可工作于環境溫度150℃、結溫200℃。而且我們還在進一步提升器件工藝和封裝關鍵技術,目標是滿足250℃以上應用要求。

      新技術、新產品的研發是半導體企業的生命,相信晶恒集團以其自身的優勢,一定會緊跟半導體技術發展的前沿,不斷給市場提供越來越多新型的器件產品。

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